[发明专利]光刻方法无效
| 申请号： | 201010022586.3 | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122113A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朴世镇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻方法，包括：将设计图形拆分成第一掩模版图和第二掩模版图，所述第一掩模版图和所述第二掩模版图重叠的区域为设计图形；采用所述第一掩模版图对硅片进行曝光显影，所述硅片至少包括待刻蚀层和位于所述待刻蚀层表面的硬掩模层，通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上；在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀，将所述设计图形转移至所述硅片的待刻蚀层上。本发明上述实施方式可应用于掩模版的制作，也可应用于芯片产品的生产，可利用现有的工艺条件获得尺寸小与分辨率的图案，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括：将设计图形拆分成第一掩模版图和第二掩模版图，所述第一掩模版图和所述第二掩模版图重叠的区域为设计图形；采用所述第一掩模版图对硅片进行曝光显影，所述硅片至少包括待刻蚀层和位于所述待刻蚀层表面的硬掩模层，通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上；在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀，将所述设计图形转移至所述硅片的待刻蚀层上。
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