[发明专利]优化RF MOS变容器布局的方法和RF MOS变容器有效
| 申请号： | 201010022697.4 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102129481A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吴颜明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 优化RF MOS变容器布局的方法，包括：确定RF MOS变容器栅极条数目预定值；测试栅极条长度为不同值时对应的电容值随频率变化的衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条长度范围；在栅极条长度范围内选取栅极条长度数值，测试栅极条数目为不同值时对应的电容值衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条数目范围。本发明还提供基于上述方法形成的RF MOS变容器，所述RF MOS变容器的栅极条两侧的端部均通过接触孔与第一金属互连线电连接，栅极条长度范围为0.5～3微米，宽度范围为1～24微米，数目范围为2～12个。所述布局减小了RF MOS变容器的串联电阻Rs，抑制了高频时RF MOS变容器的电容衰减，提高了RF MOS变容器的调谐范围和品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 rf mos 容器 布局 方法 | ||
【主权项】：
一种优化RF MOS变容器布局的方法，其特征在于，包括：根据RF MOS变容器的栅极面积，确定RF MOS变容器栅极条数目预定值；根据栅极条数目预定值，测试栅极条长度为不同值时对应的电容值随频率变化的衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条长度范围；在栅极条长度范围内选取栅极条长度数值，测试栅极条数目为不同值时对应的电容值随频率变化的衰减率，根据电容值的衰减率的范围确定栅极条数目范围。
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