[发明专利]分栅型非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010022707.4 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101777561A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分栅型非易失性存储器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于半导体衬底上的耦合介质层、浮栅、隔离介质层，第一耦合传导层和支撑介质层；位于两个分离的结构单元之间的半导体衬底内的源极；位于两个分离的浮栅结构、隔离介质层以及部分第一耦合传导层内侧壁的第一侧壁层；填充两个分离的结构单元之间的间隙，并与第一耦合传导层电接触的第二耦合传导层；位于两个分离的结构单元外侧壁和所述结构单元外侧半导体衬底上，呈L型的隧道介质层；位于L型的隧道介质层外侧的控制栅极；位于控制栅外侧半导体衬底内的漏极。所述结构提高了该存储器的编程能力。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅型 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分栅型非易失性存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于半导体衬底上的耦合介质层、浮栅、隔离介质层，第一耦合传导层和支撑介质层；位于两个分离的结构单元之间的半导体衬底内的源极；位于两个分离的耦合介质层、浮栅、隔离介质层以及部分第一耦合传导层内侧壁的第一侧壁层；填充两个分离的结构单元之间的间隙，并与第一耦合传导层电接触的第二耦合传导层；位于两个分离的结构单元外侧壁和所述结构单元外侧半导体衬底上，呈L型的隧道介质层；位于L型的隧道介质层外侧的控制栅极；位于控制栅外侧半导体衬底内的漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
