[发明专利]在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法无效
| 申请号： | 201010023035.9 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102126702A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋雯陶;郁可;倪娟;黄雁君;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B81B7/00;B81C1/00;C01G31/02 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料及制法，所述相变材料，包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。所述VO2晶体为刺猬状结构，由纳米线定向生成。本发明可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。并具有成本低，生长条件简单，重复性高，安全等优点，适合于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 复合 刺猬 vo sub 纳米 结构 相变 材料 制法 | ||
【主权项】：
在硅衬底上复合刺猬状VO2纳米结构的相变材料，其特征在于，包括硅片衬底和生长在所述硅片衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长。
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