[发明专利]应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法及装置无效
| 申请号： | 201010023076.8 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101787113A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘丽;吴文潭 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C08G63/06 | 分类号： | C08G63/06;C08G63/88 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种应用脉冲磁场改善聚乳酸(PLA)结晶性能的方法及装置。该方法的具体步骤如下：将聚乳酸至于脉冲磁场中，脉冲磁场强度为0.1～4特斯拉，频率为1～4次/分钟，并逐渐升高炉温至聚乳酸的熔点；在熔点恒温5～15分钟，以10℃/min~40℃/min的速率快速降温至结晶温度，保温60～120分钟，以30℃/min~50℃min的速率快速降温至室温。本发明成功地利用外场(脉冲磁场)改变了聚乳酸(PLA)等温结晶产品的结晶性能，如缩短诱导期，加快成核速率，改善结晶度等。优化了现有技术中存在的缺陷，改善了聚乳酸的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 脉冲 磁场 改善 乳酸 结晶 性能 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种应用脉冲磁场改善聚乳酸结晶性能的方法，其特征在于该方法的具体步骤如下：将聚乳酸至于脉冲磁场中，脉冲磁场强度为0.1～4特斯拉，频率为1～4次/分钟，并逐渐升高炉温至聚乳酸的熔点；在熔点恒温5～15分钟，以10℃/min～40℃/min的速率快速降温至结晶温度，保温60～120分钟，以30℃/min～50℃min的速率快速降温至室温。
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