[发明专利]L形硅锗异质结晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010027239.X | 申请日： | 2010-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102122667A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;张海芳;徐炯;周郑良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种L形硅锗异质结晶体管及其制备方法，包括：相对于器件有源区的非对称分布的埋层；埋层与器件本征集电极区相交，形成一L形，集电极引出的通道从器件的一侧引出；另一侧衬底与集电区相接。本发明实现非对称硅锗异质结晶体管，通过降低埋层面积，有效降低基区-集电区耦合电容和集电区-衬底耦合电容，提高晶体管的截止频率，从而实现器件的高频应用。 | ||
| 搜索关键词： | 形硅锗异质 结晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，包括：相对于器件有源区的非对称分布的埋层；埋层与器件本征集电极区相交，形成一L形，集电极引出的通道从器件的一侧引出；另一侧衬底与集电区相接。
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