[发明专利]LDMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 201010027277.5 | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102130162A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张帅;戚丽娜;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS，与传统的LDMOS相比，本发明的创新之处在于，在n阱(12)中、且仅在源极(181)和漏极(182)之间的隔离结构(13)靠近漏极(182)一侧的侧壁和/或底部处新增p型离子注入区(20)。新增加的p型离子注入区20可改变电荷分布及耗尽区的形貌，提高LDMOS器件的击穿电压，同时保持了LDMOS器件的导通电阻基本不受影响，实现了击穿电压BV与导通电阻Rdson之间的较好平衡。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS，其特征是，所述LDMOS为：在硅衬底(10)上具有外延层(11)和阱(12)；阱(12)中具有隔离结构(13)和阱(14)；阱(12)中、且仅在源极和漏极之间的隔离结构(13)靠近漏极(182)一侧的侧壁和/或底部处具有离子注入区(20)；所述离子注入区(20)与阱(12)的掺杂类型相反；阱(12)之上为栅氧化层(15)和栅极(16)，栅极(16)的一端在阱(14)之上，另一端在隔离结构(13)之上；阱(14)中具有轻掺杂漏注入区(17)和重掺杂漏注入区(181)，重掺杂漏注入区(181)作为LDMOS器件的源极；阱(12)中也具有一个重掺杂漏注入区(182)，作为LDMOS器件的漏极。
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