[发明专利]改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法无效
| 申请号： | 201010027340.5 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102136422A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;徐炯;张海芳;范永洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；包括以下步骤：步骤一、按照双极性晶体管流程形成发射极图形后，先淀积一层氧化硅介质；步骤二、淀积一层富硅的氧化膜，其折射率大于0.5，并进行氮气退火处理；步骤三、上述复合介质膜淀积完毕后，回刻并去除残余氧化硅，从而形成多晶硅发射极侧墙，该侧墙的目的是起到隔离发射极与基极的作用。本发明所述复合介质膜的阶梯覆盖能力好，湿法刻蚀速率低，能够抵抗整个工艺中的湿法工艺，从而有效的降低发射极与基极多晶硅短接的风险，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 发射极 基极 多晶 硅侧墙 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、淀积一层氧化硅介质；步骤二、淀积一层富硅的氧化膜，其折射率大于0.5，并进行氮气退火处理；步骤三、上述复合介质膜淀积完毕后，回刻并去除残余氧化硅，从而形成多晶硅发射极侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
