[发明专利]用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法有效
| 申请号： | 201010027344.3 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102135726A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法，在包含有一硅衬底，并在该硅衬底上形成有图形的硅片上形成一层氧化层，具体步骤包括：步骤一，通过刻蚀去除所述硅衬底表面的氧化层；步骤二，对所述硅衬底进行高温烘烤；步骤三，在所述硅片的表面进行光刻胶涂布，通过曝光，显影形成所需的图形；步骤四，用光刻胶为掩膜，对所述氧化层进行选择性的保护和湿法刻蚀；步骤五，去除所述光刻胶。本发明能够避免因图形切底所造成的光刻胶图形倒塌、漂移或脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 湿法 刻蚀 直接 光刻 胶掩膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法，在包含有一硅衬底，并在该硅衬底上形成有图形的硅片上形成一层氧化层，其特征在于：步骤一，通过刻蚀去除所述硅衬底表面的氧化层；步骤二，对所述硅衬底进行高温烘烤；步骤三，在所述硅片的表面进行光刻胶涂布，通过曝光，显影形成所需的图形；步骤四，用光刻胶为掩膜，对所述氧化层进行选择性的保护和湿法刻蚀；步骤五，去除所述光刻胶。
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