[发明专利]在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法无效
| 申请号： | 201010027345.8 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102135727A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;吴鹏;刘鹏;崇二敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成薄膜，在所述薄膜上涂敷光刻胶，通过光刻打开所需的图形；利用光刻胶作为掩膜，通过干法刻蚀去除所述的薄膜，形成所需的图形；干法刻蚀完成后，利用紫外光或高温对硅衬底上的光刻胶进行烘烤；以光刻胶作为掩膜完成离子注入。本发明通过在干法刻蚀后增加紫外光烘烤或高温烘烤的方式分解光刻胶表面和干刻残留物中的卤化物，确保光刻图形的完整性；改善由刻蚀气体生成卤素化合物直接或间接造成的图形缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 透光率 刻蚀 工艺 改善 图形 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种在超低透光率干法刻蚀工艺中改善图形缺陷的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成薄膜，在所述薄膜上涂敷光刻胶，通过光刻打开所需的图形；步骤二，利用光刻胶作为掩膜，通过干法刻蚀去除所述的薄膜，形成所需的图形；其特征在于，还包括：步骤三，干法刻蚀完成后，利用紫外光或高温对硅衬底上的光刻胶进行烘烤；步骤四，以光刻胶作为掩膜完成离子注入。
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