[发明专利]基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法有效
申请号: | 201010027346.2 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN102135723A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 阚欢;吴鹏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法,在衬底刻蚀工艺流程已被优化和固定的前提下,对满足衬底刻蚀图形设计规则的掩膜板进行曝光并完成刻蚀;对衬底刻蚀后的特征测试图形进行数据收集,分析,确定当前层光刻实际所需的目标关键尺寸;对满足当前层设计规则的掩膜板,在保证一定套刻精度的前提下进行曝光并完成刻蚀,对当前层刻蚀后的特征测试图形进行数据收集,分析;利用当前层一些特征测试图形收集,分析的结果,通过规则式光学临近修正标定当前层在不同结构中光刻的目标关键尺寸在满足当前层设计规则的掩膜板上的图形修正量。本发明能够根据衬底刻蚀后图形的CD来调整优化当前层光刻CD,满足相关的设计要求。 | ||
搜索关键词: | 基于 衬底 刻蚀 图形 对本 光刻 进行 修正 方法 | ||
【主权项】:
一种基于衬底刻蚀后图形对本层光刻图形进行修正的方法,其特征在于:需作图形修正的当前层其衬底为前层刻蚀图形且硅片表面不平坦化;需作图形修正的当前层与前层刻蚀图形存在包含和/或距离设计要求;包括如下步骤:在衬底刻蚀工艺流程已被优化和固定的前提下,对满足衬底刻蚀图形设计规则的掩膜板进行曝光并完成刻蚀;对衬底刻蚀后的特征测试图形进行数据收集,分析,确定当前层光刻实际所需的目标关键尺寸;对满足当前层设计规则的掩膜板,在保证一定套刻精度的前提下进行曝光并完成刻蚀,对当前层刻蚀后的特征测试图形进行数据收集,分析;利用当前层一些特征测试图形收集,分析的结果,通过规则式光学临近修正标定当前层在不同结构中光刻的目标关键尺寸在满足当前层设计规则的掩膜板上的图形修正量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备