[发明专利]p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备有效
| 申请号： | 201010028921.0 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101774629A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 余颖;熊良斌 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430079湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备方法。本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在该溶液中。将高压釜保持在100-200℃反应0.5-20小时，即可得到所需要的氧化亚铜薄膜。其中在弱酸性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n型，在中性或碱性条件下为p型。通过简单的水热制备方法得到的不同导电类型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化亚铜 薄膜 水热法 可控 制备 | ||
【主权项】：
不同导电类型的氧化亚铜半导体薄膜的可控制备方法，其特征是用水热法制备，其方法是先用铜的前驱物配制1×10-4～1M浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在该溶液中，将高压釜的温度保持在100-200℃反应0.5-20小时，即得到氧化亚铜薄膜，在弱酸性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n型，在中性或碱性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为p型。
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