[发明专利]丁酸氯维地平的晶型无效
| 申请号： | 201010029019.0 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101768105A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨波;孙华君;黄璐;耿海明;杨尚金;穆惠芳;朱毅;马芳岚;沈婕 | 申请（专利权）人： | 武汉武药科技有限公司 |
| 主分类号： | C07D211/90 | 分类号： | C07D211/90 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 马辉 |
| 地址： | 430035湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于医药技术领域，具体涉及一种化学药物及其制备方法，尤其是丁酸氯维地平的晶型及其制备方法。所述晶体的粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.5°、8.5°、10.1°、16.3°、20.3°和24.8°±0.2°2θ，差示扫描量热法图谱中吸收峰在140.5℃，以及红外图谱特征峰位置在3332、1732和1707cm-1。它是向丁酸氯维地平中加入可溶解其固体的溶剂，加热溶解，然后加入活性炭脱色，趁热过滤，将滤液冷却以结晶出丁酸氯维地平晶体，过滤，干燥。本发明的物理和化学性能稳定，便于大规模做成稳定的药物制剂。 | ||
| 搜索关键词： | 丁酸 地平 | ||
【主权项】：
一种丁酸氯维地平的晶型，其特征在于：所述晶体的粉末X-射线衍射图谱峰位置在7.5°、8.5°、10.1°、16.3°、20.3°和24.8°±0.2°2θ，差示扫描量热法图谱中吸收峰在140.5℃，以及红外图谱特征峰位置在3332、1732和1707cm-1。
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