[发明专利]CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010031358.2 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101777568A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 郭维廉;牛萍娟;李晓云 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300160天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于以微电子技术为基础的硅基光电子技术领域，涉及CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法，该种器件包括p硅衬底和n阱，在n阱中制作有发射极P+掺杂区和N阱电接触N+掺杂区；在N阱表面生长有超薄栅氧化层，在超薄栅氧化层上设置有场氧化层和多晶硅栅极；在发射极P+掺杂区和N阱电接触N+掺杂区上面分别制作有阳极和阴极；所述的多晶硅栅极上制作有栅电极。本发明属于p-n结正向少子注入型发光、工作电压低、能与CMOS技术共用电源。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 正向 注入 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种与CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件，其特征在于，包括p硅衬底(11)，在该衬底上制作有n阱(12)，在n阱中制作有发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N+掺杂区(13)；在N阱上表面生长有3-7nm厚度的超薄栅氧化层(18)，在超薄栅氧化层(18)上设置有场氧化层(14)和多晶硅栅极(16)；所述的场氧化层(14)位于发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N+掺杂区(13)上面，在发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N+掺杂区(13)上面分别制作有阳极(19)和阴极(15)；所述的多晶硅栅极(16)位于发射极P+掺杂区(110)和N阱电接触N+掺杂区(13)之间区域上部的超薄栅氧化层(18)上，其间开设有引线孔，并制作有栅电极(17)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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