[发明专利]三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，该三结叠层太阳能薄膜电池包括顶电池、中间电池和底电池，各电池分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中，顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。上述三结叠层太阳能薄膜电池的制备方法中，形成顶电池本征层时，在硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5Torr的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜。通过本发明，能提高顶电池的带隙宽度，扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，克服S-W效应，从而提高光电转化效率。

主权项

一种三结叠层太阳能薄膜电池，包括顶电池、中间电池和底电池，分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其特征在于：所述顶电池的本征层为晶粒尺寸为2‑10纳米以及晶化率为10‑20％的本征纳米硅薄膜。