[发明专利]用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头无效
申请号: | 201010033960.X | 申请日: | 2010-01-07 |
公开(公告)号: | CN101812673A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 胡国新;王晓亮;冉军学;肖红领;殷海波;张露;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头,包括:封闭型外壳体,该外壳体包括上层板、中层板和下层板,在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室,在中层板和下层板之间形成冷却腔室,进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域。对于每一个扇形区域,在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管,细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室,且细管的开口端与进气腔室连通,细管的出口端朝向邻近的衬底表面;进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。本发明可以使不同的反应气体通过扇形区域均匀送入反应室。通过控制衬底旋转速度,可以减少预反应,实现高质量的材料外延生长,也可以通过提高衬底转速,实现普通外延生长模式。 | ||
搜索关键词: | 用于 金属 有机物 化学 沉积 设备 扇形 喷头 | ||
【主权项】:
一种用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头,包括:封闭型的外壳体,该外壳体包括上层板、中层板和下层板,在上层板与中层板之间形成供气体进入的进气腔室,在中层板和下层板之间形成冷却腔室,其中:进气腔室被分隔成彼此隔离的多个扇形区域,对于每一个扇形区域,在中层板与下层板之间固定有多个导热的细管,细管在外壳体的高度方向上延伸过冷却腔室,且细管的开口端与进气腔室连通,细管的出口端朝向邻近的衬底表面,且进气腔室的至少两个扇形区域引入彼此不同的反应气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010033960.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:全自动加浆机
- 下一篇:重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的