[发明专利]集成热敏电阻的金刚石热沉无效
| 申请号： | 201010034103.1 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101764107A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张全德;刘峰奇;王利军;张伟;刘万峰;陆全勇;刘俊岐;李路;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/48;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。解决了以往热敏元件与器件集成制作过程中设计和工艺复杂、成本昂贵等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 热敏电阻 金刚石 | ||
【主权项】：
一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。
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