[发明专利]一种金属硅表面处理提纯方法

摘要

本发明公开了一种金属硅表面处理提纯方法，包括如下步骤：先将金属硅去油、洗净；再将去油洗净的金属硅以醇类或酮类为介质，球磨后氩气烘干；再将烘干的产物快速加热后保温再降温，保温之后冷却；将冷却的产物取出，用盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后，用去离子水清洗干净。本发明利用了硅中杂质外扩散和表面吸杂的原理，首先在金属硅表面人为造成大量缺陷，形成损伤层，在高温下吸附金属硅中的杂质，对金属硅进行初步提纯处理，能将金属硅纯度初步提纯到99.99％～99.999％(4～5N)，可以作为太阳能电池用硅材料或进一步提纯的原料用于后续的提纯工艺。

主权项

一种金属硅表面处理提纯方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将金属硅去油、洗净；2)将步骤1)的产物以醇或酮为介质，球磨至0.005-0.03mm，在氩气气氛下烘干；3)将步骤2)的产物加热至1050～1350℃，保温30～120分钟，以1～10℃每分钟的速率降温至700～900℃，保温30～150分钟之后冷却至室温；4)将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～20％的盐酸和质量百分比浓度为1％～10％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时后，用去离子水清洗干净。