[发明专利]一种铝熔体提纯金属硅的方法

摘要

本发明公开了一种铝熔体提纯金属硅方法，包括如下步骤：首先将金属硅去油、洗净得到洗净后的金属硅；再将铝熔体倒入洗净后的金属硅中，让洗净后的金属硅表面附着一层铝熔体，冷却凝固；将冷却凝固的的产物在惰性气氛中加热、保温，冷却至室温后用盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡数小时，用去离子水清洗干净。本发明利用了硅中铝吸杂的原理，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺，是一种低成本、低能耗、简便易行的物理法提纯制备太阳能级硅的方法，能将金属硅纯度初步提纯到99.99％～99.999％(4～5N)，可以作为太阳能电池用硅材料或进一步提纯的原料。

主权项

一种铝熔体提纯金属硅方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将金属硅去油、洗净得到洗净后的金属硅；2)将铝熔体倒入洗净后的金属硅中，让洗净后的金属硅表面附着一层铝熔体，冷却使铝熔体凝固；3)将步骤2)的产物在惰性气氛中加热至600～950℃，保温2～10h，冷却至室温；4)将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～20％的盐酸和质量百分比浓度为1％～10％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时，用去离子水清洗干净。