[发明专利]一种Mg2Si增强镁基复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010045853.9 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101748300A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 闫洪;陈小会;吴庆捷;胡志 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C23/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种Mg2Si增强镁基复合材料的制备方法，属于金属材料制备领域，首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆，把AM60镁合金锭放入坩埚内加热至熔化，并在800℃～900℃范围内进行保温；将超声变幅杆伸入镁合金熔体中，同时将质量分数为0.9-1.1％的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆，加入到熔体中，在超声功率为400W～900W的条件下，超声10～30分钟；将熔体温度降至640℃～650℃，在此过程中继续超声2～8分钟，浇铸取样。本发明得到的Mg2Si/AM60镁基复合材料组织中晶粒细小，Mg2Si增强颗粒尺寸细小且分布均匀，而且工艺简单、安全可靠，操作方便，且无三废污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mg sub si 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Mg2Si增强镁基复合材料的制备方法，其特征是首先将Si粉进行烘干处理并用铝箔包覆，把AM60镁合金锭放入坩埚内加热至熔化，并在800℃～900℃范围内进行保温；将超声变幅杆伸入镁合金熔体中，同时将质量分数为0.9-1.1％的预处理好的Si粉用铝箔纸包覆，加入到熔体中，在超声功率为400W～900W的条件下，超声10～30分钟；将熔体温度降至640℃～650℃，在此过程中继续超声2～8分钟，浇铸取样。
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