[发明专利]基于嵌套式准二阶随机配置法的寄生电容提取方法

摘要

本发明涉及一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法。该方法使用一阶嵌套式稀疏网格点来计算寄生电容的二阶Hermite随机多项式展开系数，利用一种误差校正技术来消除部分二次项的计算误差，从而得到工艺偏差下寄生电容的准二阶Hermite随机正交多项式模型。本发明对于包含d维随机变量的问题，使用的配置点个数为(2d+1)，远远小于非嵌套式稀疏网格随机配置法中二阶Hermite随机多项式模型的配置点个数(2d2+2d+1)，但能保持与非嵌套式稀疏网格随机配置法二阶Hermite随机多项式模型相当的精度。

主权项

一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：对m个导体对应的电容提取随机积分方程进行离散，置i＝1，步骤2：设置第i个导体电压为1，其他为0，利用嵌套式准二阶随机配置法求解随机电容提取问题，步骤3：将每个导体上对应面元上电荷分别累加得到对应的电容矩阵的第i列，步骤4：如果i小于m，将i加1，转到步骤2；否则转到步骤5，步骤5：将电容矩阵的m列组合在一起，得到工艺偏差下个导体块对应的电容矩阵。