[发明专利]一种全氟型高温质子导体复合膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010100171.3 | 申请日： | 2010-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101768284A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 何荣桓;杨景帅;车全通;靖莹莹 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J7/14;H01M8/02;H01M2/16 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110004辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种全氟型高温质子导体复合膜的制备方法，属于燃料电池技术领域。将Nafion膜依次在H2O2水溶液中、去离子水中、H2SO4水溶液中浸泡处理，然后冲洗、烘干，放入BMIMOH离子液体中，于60℃～120℃条件下密闭反应1～10h，得到Nafion-BMIM复合膜。将Nafion-BMIM复合膜表面的离子液体用水冲洗，然后放入真空干燥箱中烘干。室温下，将Nafion-BMIM复合膜完全浸泡在磷酸水溶液中12～48h进行酸掺杂，得到磷酸掺杂的全氟型高温质子导体复合膜。本发明方法制备的全氟型高温质子导体复合膜在80～160℃不加湿条件下具有良好的导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全氟型 高温 质子 导体 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全氟型高温质子导体复合膜的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)Nafion膜的预处理将全氟型磺酸膜依次在H2O2水溶液中、70～90℃去离子水中、H2SO4水溶液中各浸泡处理0.5～2h，再用室温去离子水冲洗后，将膜浸泡在室温去离子水中备用，全氟型磺酸膜采用Nafion膜；(2)将预处理的Nafion膜放入烘箱中烘干，将离子液体氢氧化-1-丁基-3-甲基咪唑放入容器中，将烘干后恒重的Nafion膜完全浸泡在离子液体中，将容器密闭，置于烘箱内于60℃～120℃条件下密闭反应1～10h，取出容器，自然降温到室温，将膜取出，擦干表面的离子液体，得到Nafion-BMIM复合膜；(3)在室温条件下，将步骤(2)制备的Nafion-BMIM复合膜采用室温去离子水冲洗，然后擦干复合膜表面的水分，室温下放置，缓慢蒸发膜中水分后，将复合膜放入真空干燥箱中烘干至恒重；(4)室温下，将步骤(3)处理的Nafion-BMIM复合膜完全浸泡在质量浓度为95％～99.7％的磷酸水溶液中，浸泡时间为12～48h，然后将复合膜取出，将复合膜表面擦干，得到磷酸掺杂的全氟型高温质子导体复合膜Nafion-BMIM/H3PO4。
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