[发明专利]用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路有效

专利信息
申请号: 201010100864.2 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101989450A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 金帝润 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路。该电路包括振荡器、温度可变脉冲发生单元、计数器和输出控制单元。计数使能信号发生单元输入温度脉冲,并响应于接收控制信号,输出与该温度脉冲相应的计数使能信号。计数器响应于接收计数使能信号,输入振荡信号并对振荡信号进行计数,并输出计数信号。输出控制单元输出与计数信号成比例的温度信息码信号,或输出处于与计数信号的最大值相应的固定电平的温度信息码信号。
搜索关键词: 用于 补偿 半导体 存储 装置 温度 测量 范围 电路
【主权项】:
一种用于补偿半导体存储装置的温度测量范围的电路,包括:计数使能信号发生单元,配置为输入具有与温度成比例的脉宽的温度脉冲,并响应于控制信号,输出所述温度脉冲作为计数使能信号;计数器,配置为响应于所述计数使能信号,对振荡信号进行计数,并输出与所述振荡信号的计数结果相应的计数信号;输出控制单元,配置为响应于所述计数信号和所述温度脉冲,产生所述控制信号,并配置为输出与所述计数信号成比例的温度信息码信号,或输出处于与所述计数信号的最大值相应的固定电平的温度信息码信号。
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