[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法有效
| 申请号： | 201010101396.0 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101777389A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟;冯珺 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 相变 存储器 单元 半径 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种获得相变存储器单元相变区半径的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。
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