[发明专利]一种中子吸收球的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010101755.2 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN101789272A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 林旭平;马景陶;陈凤;黄志勇;邓长生;谭威 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G21C7/24 分类号: G21C7/24;G21C7/10;C01B31/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及中子吸收球的制备方法,包括下述步骤:将炭素原料和中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进行搅拌,混捏过程中加入硼酸,制成糊料;经过预压、挤出成型、炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理制得所述中子吸收球。本发明用PVA作粘结剂,对环境友好,价格低廉。本挤出成型工艺效率高,设备投入低,能够满足大规模工业生产。
搜索关键词: 一种 中子 吸收 制备 方法
【主权项】:
一种中子吸收球的制备方法,包括下述步骤:将炭素原料和中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进行搅拌,混捏过程中加入硼酸,制成糊料;然后经过预压、挤出成型、炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理。
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