[发明专利]一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010102213.7 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101834273A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杜小锋;马小波;宋志棠;刘卫丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗，提高加热效率，并通过对驱动二极管的加热提高其正向导通电流，从而达到降低相变存储器功耗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 相变 存储器 功耗 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种降低相变存储器功耗的单元结构，其特征在于：该单元结构包括集成电路衬底(1)、位于集成电路衬底(1)上的第一绝缘介质层(2)、被第一绝缘介质层(2)包围并与集成电路衬底(1)连接的驱动二极管(3)、被第一绝缘介质层(2)包围并位于驱动二极管(3)上的过渡层(4)、位于第一绝缘介质层(2)上的第二绝缘介质层(5)、被第二绝缘介质层(5)包围并位于过渡层(4)上的下电极(6)、位于第二绝缘介质层(5)上的第三绝缘介质层(7)、被第三绝缘介质层(7)包围并位于下电极(6)上的相变材料层(8)和位于相变材料层(8)上的上电极(9)；所述的过渡层(4)的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010102213.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
