[发明专利]金属焊垫的制造方法以及相应的金属焊垫结构有效
申请号: | 201010102325.2 | 申请日: | 2010-01-28 |
公开(公告)号: | CN102044457A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 葛晓欢;王秉杰 | 申请(专利权)人: | 中颖电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200335 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种金属焊垫的制造方法以及相应的金属焊垫结构,在原有的集成电路层次上,新增一道金属层,从整体上增加欲打线的金属层厚度,有利于铜线打线,避免打穿现象的出现。而且,其使用原有焊垫光罩即可完成,无需增加新的光罩,也无需改变设计规则。以上结构包括:半导体基底,其上具有一最上层金属层;绝缘层,覆盖于所述最上层金属层之上;第一窗口,贯穿所述绝缘层,且该第一窗口内沉积有焊垫金属;钝化层,覆盖于所述绝缘层之上;第二窗口,贯穿于所述钝化层,与第一窗口相连通,且该第二窗口内沉积有焊垫金属。 | ||
搜索关键词: | 金属 制造 方法 以及 相应 结构 | ||
【主权项】:
一种金属焊垫结构,其特征是,包括:半导体基底,其上具有一最上层金属层;绝缘层,覆盖于所述最上层金属层之上;第一窗口,贯穿所述绝缘层,且该第一窗口内沉积有焊垫金属;钝化层,覆盖于所述绝缘层之上;第二窗口,贯穿于所述钝化层,与第一窗口相连通,且该第二窗口内沉积有焊垫金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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