[发明专利]提高分栅式闪存耐用性的擦除方法有效
| 申请号： | 201010102344.5 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101783179A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;胡剑;吴小利;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高分栅式闪存耐用性的擦除方法，包括：在所述源极区域、漏极区域的字线加不为零的电压VBL，在所述字线上加电压VWL＝V0+0.6*VBL，所述第一控制栅、第二控制栅空接，其中V0为当源极区域、漏极区域接地时闪存的擦除电压。本发明提出的擦除方法，在保证闪存的擦除功能的前提下，减少了隧穿氧化层在擦除过程中造成的缺陷，从而提高了闪存的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 分栅式 闪存 耐用性 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种提高分栅式闪存耐用性的擦除方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域分别设置有位线；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间，所述第一存储位单元具有间隔设置的第一控制栅和第一浮栅；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，所述第二存储位单元具有间隔设置的第二控制栅和第二浮栅；其中所述两个存储位单元与所述字线之间、以及所述字线和所述半导体衬底之间均由隧穿氧化层隔开；其特征在于，所述擦除方法包括：在所述源极区域、漏极区域加不为零的电压VBL；在所述字线上加电压VWL＝V0+0.6*VBL；所述第一控制栅、第二控制栅空接，其中V0为当源极区域、漏极区域接地时闪存的擦除电压。
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