[发明专利]等离子体损伤检测结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010102399.6 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142429A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 马瑾怡;郑雅文;王晓韬;许晓锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/71;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种等离子体损伤检测结构及其制作方法，该等离子体损伤检测结构包括：半导体衬底；第一图层，设置在第一介质层中，其包括形成于半导体衬底上的半导体器件以及保护二极管；第二图层，设置在第二介质层中，其包括第一导线以及第二导线，所述第一导线与半导体器件电连接，所述第二导线与保护二极管电连接；第三图层，设置在第三介质层中，其包括天线结构以及底层焊垫，所述天线结构与第一导线电连接，所述底层焊垫与第二导线电连接；顶层图层，设置在顶层介质层中，其包括顶层金属线以及顶层焊垫，所述顶层金属线与第一导线和第二导线电连接，所述顶层焊垫与底层焊垫电连接。本发明可准确的检测天线效应的强弱。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 损伤 检测 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体损伤检测结构，包括：半导体衬底；第一图层，设置在第一介质层中，其包括形成于所述半导体衬底上的半导体器件以及保护二极管；第二图层，设置在第二介质层中，其包括第一导线以及第二导线，所述第一导线与所述半导体器件电连接，所述第二导线与所述保护二极管电连接；第三图层，设置在第三介质层中，其包括天线结构以及底层焊垫，所述天线结构与所述第一导线电连接，所述底层焊垫与所述第二导线电连接；顶层图层，设置在顶层介质层中，其包括顶层金属线以及顶层焊垫，所述顶层金属线分别与所述第一导线和第二导线电连接，所述顶层焊垫与所述底层焊垫电连接。
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