[发明专利]一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件有效
| 申请号： | 201010103868.6 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142455A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 黄如;秦石强;唐粕人;张丽杰;蔡一茂 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MOSFET，低阻态时则转变为BJT，MOSFET的栅极、源区和漏区对应地分别变为BJT的基极、发射极和集电极。该器件的制作工艺简单，和主流平面CMOS工艺兼容，生产成本低，根据需要在栅极(或基极)与衬底之间施加一定的电压就可以使阻变介质层的电阻发生转变，从而实现BJT和MOSFET的互变，在存储器电路和逻辑电路方面有着很好的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bjt mosfet 之间 相互 转变 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，可在场效应晶体管和双极结型晶体管之间相互转变，包括场效应晶体管结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其特征在于，源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为场效应晶体管；当该阻变介质层由高阻态变为低阻态时，该器件转变为双极结型晶体管，场效应晶体管的栅极、源区和漏区对应地分别变为双极结型晶体管的基极、发射极和集电极。
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