[发明专利]将杂质离子掺杂至双栅极的方法和用其制造双栅极的方法

摘要

一种将杂质离子掺杂至双栅极的方法，其包括：将第一导电型杂质离子掺杂至具有第一区域及第二区域的半导体衬底上方的栅极导电层，其中利用浓度梯度来实施该掺杂以使栅极导电层上部的掺杂浓度高于下部的掺杂浓度；使用用于露出第二区域中栅极导电层的一部分的掩模，将第二导电型杂质离子掺杂至第二区域的栅极导电层的部分；和通过实施热处理来扩散该第一导电型杂质离子及该第二导电型杂质离子。

主权项

一种将杂质离子掺杂至双栅极中的方法，包括：将第一导电型杂质离子掺杂至半导体衬底的第一区域及第二区域上方的栅极导电层中，所述栅极导电层包括覆盖下部的上部，其中所述掺杂实施为具有浓度梯度以使所述栅极导电层的所述上部中的掺杂浓度高于所述下部中的掺杂浓度；使用用于露出所述第二区域中的所述栅极导电层的掩模，将第二导电型杂质离子掺杂至所述半导体衬底的所述第二区域中的所述栅极导电层中；和通过实施热处理来扩散所述第一导电型杂质离子和所述第二导电型杂质离子。