[发明专利]提高侧墙角均匀度的方法有效
| 申请号： | 201010104013.5 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136419A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高侧墙角均匀度的方法，应用于栅极刻蚀流程中的抗反射涂层打开Barc open工序，该方法包括：根据实验统计值生成栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系，在对晶圆进行Barc open前，测量晶圆上栅极薄膜的厚度；根据测量得到的栅极薄膜的厚度、以及所述栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系，设定Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的取值，并采用设定值的刻蚀环境参数进行Barc open工序。本发明能够有效提高Poly Etch后得到的SWA的均匀度，显著提高最终得到的电路器件的工作性能，且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 墙角 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高侧墙角均匀度的方法，应用于栅极刻蚀流程中的抗反射涂层打开Barc open工序，其特征在于，该方法包括：根据实验统计值生成栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系，在对晶圆进行Barc open前，测量晶圆上栅极薄膜的厚度；根据测量得到的栅极薄膜的厚度、以及所述栅极薄膜的厚度与Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的对应关系，设定Barc open工序中使用的刻蚀环境参数的取值，并采用设定值的刻蚀环境参数进行Barc open工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
