[发明专利]一种晶圆表面平坦化方法有效
| 申请号： | 201010104533.6 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102142368A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;席华萍 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面平坦化方法，包括：在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，获取满足设计需求的晶圆表面平整度，在刻蚀后的SOG层上边淀积第二层二氧化硅层。该方法在旋涂SOG层之后，通过刻蚀的方式改善涂覆后的晶圆表面平整度，能够获得较好的表面平坦化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括：在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；采用选定的刻蚀速率选择比对晶圆表面的SOG层和二氧化硅层进行刻蚀，获取满足设计需求的晶圆表面平整度，在刻蚀后的SOG层上边淀积第二层二氧化硅层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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