[发明专利]一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺有效
申请号: | 201010104697.9 | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN101777399A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 尹卫;李忠勇;陈大明;白红升;高惠波;韩连革;崔洪起;张文辉;金小海 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | G21G4/08 | 分类号: | G21G4/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102413*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,皆在提供了一种68Ge的利用率高、活度分布均匀、成本低的用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺。该工艺包括以下步骤:(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中,最后将其与带有磁性的钨钢底座连接;所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度≤5mg/ml,吸附时间为10~20min。 | ||
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【主权项】:
一种用于PET衰减校正的68Ge线源的制备工艺,该工艺包括以下步骤:(1)将陶瓷微球置于硝酸和氯化锗[68Ge]的混合溶液中,振荡反应,待68Ge吸附于陶瓷微球上,取出清洗,然后晾干;(2)将干燥好的吸附有68Ge的陶瓷微球均匀装填于一端密封的不锈钢管中,将另一端用玻璃毛密封,然后将不锈钢管套于不锈钢套管中,最后将其与带有磁性的钨钢底座连接;其特征在于,所述的步骤(1)中混合溶液中硝酸的浓度为12~15mol/L,Ge离子的浓度≤5mg/ml,吸附时间为10~20min。
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