[发明专利]一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法及电路无效
申请号: | 201010104730.8 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN101794727A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 梁国;刘晓鹏;郭清 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/74 | 分类号: | H01L21/74;H01L21/82;H01L23/58 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法,对噪声进行分布式抵消的步骤包括先采集数字电路产生的噪声信号再将噪声信号输入反相运算放大器进行反相放大得到噪声抵消信号再将噪声抵消信号并行的注入到硅衬底上的至少三个噪声注入点,与噪声信号反相叠加,抵消传递到保护环内的噪声信号。本发明还公开了所述的分布式抵消方法的电路,包括设置在硅衬底上的噪声探测带和至少三个噪声注入点及反相运算放大器,其输入端与噪声探测带连接,反相运算放大器的输出端与噪声注入点连接。本发明可以更好的克服数模混合信号芯片中数字噪声对模拟电路的串扰而造成的模拟电路性能的下降,且设计灵活,结构简单,具有很高的工业应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 衬底 噪声 分布式 抵消 方法 电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法,所述的集成电路包括集成在同一硅衬底上的数字电路和模拟电路,且所述的模拟电路周围布置有保护环,其特征在于,对所述的噪声进行分布式抵消的步骤如下:a)采集数字电路产生的噪声信号;b)将噪声信号输入反相运算放大器进行反相放大,得到噪声抵消信号;c)将噪声抵消信号并行的注入到硅衬底上靠近模拟电路的至少三个噪声注入点,与噪声信号反相叠加,抵消传递到保护环内的噪声信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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