[发明专利]一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法

摘要

一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，在暂时基板上依次外延生长缓冲层、截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP限制层、有源层、p-AlGaInP限制层和p-GaP窗口层构成外延发光层；发光层上制作一反射镜，在永久基板背面制作p电极，将永久基板和暂时基板通过接合层键合，去除暂时基板、缓冲层和截止层；蚀刻图案化n-GaAs欧姆接触层，暴露出n-AlGaInP限制层；粗化暴露在其上表面的部分限制层；在n-GaAs欧姆接触层上制作扩展电极，使扩展电极完全覆盖n-GaAs欧姆接触层以及部分区域的n-AlGaInP限制层，在限制层上制作焊与与扩展电极电连接；本发明解决了习知工艺中扩展电极边缘悬空造成易破损的问题，增强了电极与发光层的粘附性，确保正向工作电压稳定，极大地提高了产品的质量和良率。

主权项

一种包覆式扩展电极发光二极管的制作方法，其步骤如下：1)提供一暂时基板，在暂时基板上依次外延生长缓冲层、截止层、n型砷化镓欧姆接触层、n型铝镓铟磷限制层、有源层、p型铝镓铟磷限制层和p型导电窗口层构成外延发光层；2)在外延发光层上制作一反射镜；3)提供一永久基板，在永久基板背面制作p电极，将完成前述步骤的暂时基板与永久基板通过一接合层形成键合，接合面为反射镜和永久基板上表面，并去除暂时基板、缓冲层和截止层；4)在外延层上制作包覆式扩展电极：采用湿法蚀刻图案化n型砷化镓欧姆接触层，暴露出其下的n型铝镓铟磷限制层；粗化暴露在上表面的部分n型铝镓铟磷限制层；在n型砷化镓欧姆接触层上制作扩展电极，并且使得扩展电极完全覆盖n型砷化镓欧姆接触层以及部分区域的n型铝镓铟磷限制层；5)在n型铝镓铟磷限制层上制作焊盘，并且焊盘与扩展电极保持电学连接。