[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201010105379.4 | 申请日: | 2010-01-28 |
公开(公告)号: | CN101859793A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 李善律;铃木浩司 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本申请涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括:基板;形成在所述基板上的半导体层,所述半导体层具有沟道区、源极区和漏极区;覆盖所述半导体层的栅极绝缘层;形成在所述沟道区上的栅极电极;和覆盖所述栅极电极的层间绝缘层。源极电极和漏极电极形成在所述层间绝缘层上,分别连接至所述源极区和漏极区。像素电极在与所述源极电极和漏极电极相同的平面上从所述漏极电极延伸。所述源极电极和漏极电极各具有由透明的导电材料形成的第一导电层和形成在所述第一导电层上的金属的第二导电层。所述像素电极由所述第一导电层形成。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示器,包括:基板;形成在所述基板上的半导体层,该半导体层具有沟道区、源极区和漏极区;形成在所述半导体层上的栅极绝缘层;形成在所述半导体层的沟道区上的栅极电极;形成在所述栅极电极上的层间绝缘层;形成在所述层间绝缘层上的源极电极和漏极电极,所述源极电极连接至所述源极区,所述漏极电极连接至所述漏极区;以及在与所述源极电极和所述漏极电极相同的平面上从所述漏极电极延伸的像素电极,其中,所述源极电极和所述漏极电极各包括形成在所述层间绝缘层上的透明的第一导电层的一部分和形成在所述第一导电层上的金属的第二导电层的一部分,并且所述像素电极包括所述第一导电层的另一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的