[发明专利]薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法有效
| 申请号： | 201010106352.7 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101789450A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;刘婉懿;陈佳楷;林武雄;陈俊雄;黄伟明 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，适于配置于基板上，此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、富硅沟道层、源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。富硅沟道层配置于栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群，且该富硅沟道层的膜层深度在10纳米(nanometers，nm)至170nm中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间。源极与漏极分别与富硅沟道层连接。本发明实施例的薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率与稳定性，此外，本发明实施例的薄膜晶体管可使用较低的工艺温度，具有广泛的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 沟道 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述的薄膜晶体管适于配置于一基板上，所述薄膜晶体管包括：一栅极，配置于所述基板上；一栅绝缘层，配置于所述基板上以覆盖所述栅极；一富硅沟道层，配置于所述栅极上方，其中所述富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群，且所述富硅沟道层中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间；以及一源极与一漏极，分别与所述富硅沟道层连接。
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