[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010107622.6 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101777583A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;王泽高;郝昕;刘兴钊;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/43 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子元器件技术领域，涉及一种场效应晶体管，特别是一种以石墨烯为导电层的双栅结构的场效应晶体管。该石墨烯场效应晶体管包括衬底栅电极、下栅介质材料、上栅介质材料、石墨烯、源电极和漏电极，石墨烯位于上栅介质材料和下栅介质材料之间源电极和漏电极位于石墨烯两端。本发明由于采用双栅材料，即在现有的石墨烯场效应晶体管石墨烯沟道区表面增加一层上栅介质材料，将石墨烯沟道区封闭在上栅介质材料与下栅介质材料之间，避免石墨烯沟道区受到外界的干扰，从而降低散射，有效提高了晶体管的迁移率和开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管，包括衬底栅电极(1)、下栅介质材料(2)、石墨烯(3)、源电极(5)和漏电极(6)，下栅介质材料(2)位于衬底栅电极(1)表面，石墨烯(3)位于下栅介质材料(2)表面，源电极(5)和漏电极(6)位于石墨烯(3)两端；其特征在于，该晶体管还包括上栅极绝缘层(4)，所述上栅极绝缘层(4)位于源电极(5)和漏电极(6)之间并覆盖石墨烯(3)表面。
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