[发明专利]一种横向双极晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201010107818.5 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101986434A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 盛国兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向双极晶体管及其制作工艺，发射极和集电极位于晶体管表面，基极位于晶体管背面。由此带来的好处是：1、缓解了击穿电压与工作电流的矛盾，可以提高器件的工作频率与带宽、输出功率、线性功率；2、散热面积大大增加，器件散热性能得到极大改善。同时，集电极移到表面后芯片可以直接烧结在铜底座上，这样进一步提高了散热性能，同时还大大降低了管壳的成本；3、共基极应用时，由于本技术背面是基极，可以省去金丝引线，从而把引线电感对器件频率、功率、稳定性的不利影响减到极小；4、散热的改善也大大提高了器件的可靠性和抗失配能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种横向双极晶体管，包括发射极(1)、基极(2)和集电极(4)，其特征在于：发射极(1)和集电极(4)位于晶体管表面，基极(2)位于晶体管背面。
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