[发明专利]稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法无效
| 申请号： | 201010108050.3 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101786595A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王进贤;董相廷;于长娟;刘桂霞;于文生 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土氧化物纳米带及其制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。本发明提供的稀土倍半氧化物纳米带，其特征在于，所述的稀土倍半氧化物纳米带为一种纳米带结构，纳米带的厚度80～200nm，宽度2～6μm，长度大于150μm，纳米带由厚度为70～120nm的稀土氧化物纳米片构成。本发明包括三个步骤：首先，配制纺丝液，将稀土化合物、高分子模板剂、溶剂按照一定比例混合；其次，制备前驱体纳米带，采用静电纺丝技术实现；最后，制备稀土倍半氧化物纳米带，采用热处理方法通过控制升温速率、保温温度、保温时间实现。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 氧化物 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土倍半氧化物纳米带，其特征在于，所述的稀土倍半氧化物纳米带为一种纳米带结构，纳米带的厚度80～200nm，宽度2～6μm，长度大于150μm，纳米带由厚度为70～120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成。
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