[发明专利]太阳能电池制作方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池制作方法，采用离子注入方法在硅片中形成一注入层，然后将此硅片作为器件片；通过薄膜沉积，电镀，磁控溅射等方法在玻璃、塑料、陶瓷、不锈钢等衬底上生长SiO2或SiC、Al2O3、Si3N4中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后沉积Al膜后和器件片键合在一起，再通过退火实现硅层转移，根据转移过来的硅层表面粗燥度程度决定是否进行腐蚀和抛光，最后形成薄层硅材料。通过掺硼、磷等在薄层硅上制作p-n结，通过丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子镀等制作电极，最后得到太阳能电池。该方法既有晶体硅太阳能电池的高效率、高稳定的优势，又发挥了薄层材料节约硅用量的特点，减少工艺步骤，降低成本。

主权项

一种太阳能电池制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：a)器件片制作采用离子注入技术在单晶硅片中注入氢离子或氦离子或氢、氦两种离子，或者在单晶硅片中引入多孔硅，并在多孔硅上外延单晶硅；b)支撑衬底制作采用溅射或真空蒸发方法在玻璃或陶瓷或不锈钢或塑料衬底上沉积SiC、SiO2、Al2O3或Si3N4中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后再镀上一层铝薄层作为支撑衬底；c)形成键合片器件片和支撑衬底经清洗、干燥后在常温常压或真空或等离子辅助的室温下键合；d)退火处理将键合片在300～1500℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理，键合片从器件片的离子注入退火后形成的气泡层处或者外延单晶硅处裂开，断裂下来的器件硅片经腐蚀抛光后按步骤a)反复使用；e)形成“黑硅”采用腐蚀或抛光除去离子注入层，对键合片上的剩余顶层硅采用化学机械抛光机抛光，保留顶层硅的表面粗燥，形成“黑硅”，并在SF6反应气氛中进行表面处理；f)在顶层硅中掺入硼和磷形成p-n结；g)得到太阳能电池将步骤b)中的铝层作为背电极，采用丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子镀等方法制作前电极，得到太阳能电池。