[发明专利]一种量子阱混杂方法有效
| 申请号： | 201010108240.5 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101774540A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 何建军;张欣;彭盛华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱混杂方法。首先在磷化铟衬底上生长包含量子阱区域的外延层，外延层表面包含一个非工作用途的牺牲层；经掩模层沉积、光刻、掩模层刻蚀工艺过程后用掩模保护局部区域的外延层，然后利用氮等离子体局部处理未被保护区域的外延层表面的牺牲层，使其表面产生晶格缺陷；接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混杂，从而局部改变量子阱区域的能带结构。另一种采用二次生长外延层的方法也可以达到相同的效果。本发明克服了氩等离子体诱导的量子阱混杂技术中，刻蚀作用的负面影响，不会使得量子阱片的表层被轰击变薄甚至刻穿，为工艺带来便利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 混杂 方法 | ||
【主权项】：
一种量子阱混杂方法，其特征在于：首先在磷化铟衬底上生长包含量子阱区域的外延层，所述外延层表面包含一个非工作用途的牺牲层；经掩模层沉积、光刻、掩模层刻蚀工艺过程后用掩模保护局部区域的外延层，然后利用氮等离子体作为等离子源，局部处理未被保护区域的外延层表面的牺牲层，在牺牲层表面产生晶格缺陷；接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混杂，从而局部改变量子阱区域的能带结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010108240.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种试剂级六水合氯化钴的制备方法
- 下一篇：兴趣点的检索方法及终端
