[发明专利]半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡有效

专利信息
申请号: 201010108463.1 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101937892A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 李镐珍;张东铉;李仁荣;尹玟升;黄善宽 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L25/00;H01L21/60;G11C7/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡,其中,所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。
搜索关键词: 半导体 芯片 及其 制造 方法 堆叠 模块 存储
【主权项】:
一种半导体芯片,所述半导体芯片包括:基底,包括第一表面和面对第一表面的第二表面;至少一个通孔,包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分;至少一个通孔电极,填充所述至少一个通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010108463.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top