[发明专利]一种光控碳化硅光电导开关无效

专利信息
申请号: 201010108982.8 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN102157597A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 黄维;常少辉;陈之战;施尔畏 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 彭茜茜;白益华
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关,其包括如下部件:光电导晶片,所述光电导晶片为碳化硅晶片,具有以下抛光良好的晶面:至少一个(1100)m面;至少两个(1120)a面;其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面,以及与所述(1120)a面或(1120)m面具有良好电学性质的电极,且当所述(1100)m面作为朝光面时,所述电极与所述(1120)a面电学连接;当所述(1120)a面作为朝光面时,所述电极与所述(1100)m面电学连接。
搜索关键词: 一种 光控 碳化硅 电导 开关
【主权项】:
一种光控碳化硅(SiC)光电导开关,其特征在于,包括如下部件:‑光电导晶片,所述光电导晶片为碳化硅晶片,具有以下抛光良好的晶面,且其中各个面的偏角范围不超过10度:至少一个(1100)m面;至少两个(1120)a面;其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面,以及‑与所述(1120)a面或(1100)m面电学连接的电极,且当所述(1100)m面作为朝光面时,所述电极与所述(1120)a面电学连接;当所述(1120)a面作为朝光面时,所述电极与所述(1100)m面电学连接,此时所述光电导晶片具有至少一个1120a面,至少两个(1100)m面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010108982.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top