[发明专利]一种光控碳化硅光电导开关无效
申请号: | 201010108982.8 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN102157597A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 黄维;常少辉;陈之战;施尔畏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 彭茜茜;白益华 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关,其包括如下部件:光电导晶片,所述光电导晶片为碳化硅晶片,具有以下抛光良好的晶面:至少一个(1100)m面;至少两个(1120)a面;其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面,以及与所述(1120)a面或(1120)m面具有良好电学性质的电极,且当所述(1100)m面作为朝光面时,所述电极与所述(1120)a面电学连接;当所述(1120)a面作为朝光面时,所述电极与所述(1100)m面电学连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 光控 碳化硅 电导 开关 | ||
【主权项】:
一种光控碳化硅(SiC)光电导开关,其特征在于,包括如下部件:‑光电导晶片,所述光电导晶片为碳化硅晶片,具有以下抛光良好的晶面,且其中各个面的偏角范围不超过10度:至少一个(1100)m面;至少两个(1120)a面;其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面,以及‑与所述(1120)a面或(1100)m面电学连接的电极,且当所述(1100)m面作为朝光面时,所述电极与所述(1120)a面电学连接;当所述(1120)a面作为朝光面时,所述电极与所述(1100)m面电学连接,此时所述光电导晶片具有至少一个1120a面,至少两个(1100)m面。
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