[发明专利]第Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件无效
| 申请号： | 201010109010.0 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101794814A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高谷邦启 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供第III-V族化合物半导体器件，所述第III-V族化合物半导体器件包括：基板；沟道层，所述沟道层被安置在所述基板的上方；阻挡层，所述阻挡层被安置在所述沟道层上以形成异质界面；多个电极，所述多个电极被安置在所述阻挡层上；绝缘体层，所述绝缘体层被安置成覆盖所述阻挡层的除所述电极的至少部分区域以外的整个上表面；和层叠在所述绝缘体层上的氢吸收层或其中氢吸收层与所述绝缘体层构成整体的整体层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种第III-V族化合物半导体器件，所述第III-V族化合物半导体器件包括：基板；沟道层，所述沟道层被安置在所述基板的上方；阻挡层，所述阻挡层被安置在所述沟道层上以形成异质界面；多个电极，所述多个电极被安置在所述阻挡层上；绝缘体层，所述绝缘体层被安置成覆盖所述阻挡层的除所述电极的至少部分区域以外的整个上表面；层叠在所述绝缘体层上的氢吸收层或其中氢吸收层与所述绝缘体层构成整体的整体层。
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