[发明专利]一种降低金属损伤的电镀铜方法无效
| 申请号： | 201010110206.1 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157436A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘盛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种降低金属损伤的电镀铜方法，该方法通过在低直流电流电镀铜和高直流电流电镀铜之间增加脉冲电流电镀铜，从而提高电镀铜的耐腐蚀性能，降低后续工艺中对铜进行化学机械抛光(CMP)时产生的金属损伤，减小通孔断路的风险，提高芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 金属 损伤 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
一种降低金属损伤的电镀铜方法，用于在晶片上沉积铜互连层，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将所述晶片放入电镀槽中，在电镀电流为第一直流电流的条件下电镀第一时间段；在电镀电流为脉冲电流的条件下电镀第二时间段；在电镀电流为第二直流电流的条件下电镀第三时间段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
