[发明专利]形成互连结构的方法有效
| 申请号： | 201010110450.8 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148185A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成互连结构的方法，包括步骤：提供一前端器件层；在所述前端器件层上形成一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上面形成介电层；在所述介电层的表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成一层抗反射层；在所述抗反射层的表面涂敷一层光刻胶层；采用第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光；采用第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光；对所述光刻胶层进行显影工艺，形成具有图案的光刻胶层；以所述具有图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述氧化层、所述介电层以及所述刻蚀阻挡层，形成通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成互连结构的方法，包括步骤：提供一前端器件层；在所述前端器件层上形成一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上面形成介电层；在所述介电层的表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成一层抗反射层；在所述抗反射层的表面涂敷一层光刻胶层；采用第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光；采用第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光；对所述光刻胶层进行显影工艺，形成具有图案的光刻胶层；以所述具有图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述氧化层、所述介电层以及所述刻蚀阻挡层，形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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