[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201010110506.X | 申请日: | 2010-02-03 |
公开(公告)号: | CN101800233A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 丸山康;渡边一史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N3/15 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供通过减少光学混色和/或Mg光斑来提高图像质量的固态成像装置及其制造方法以及电子设备。本发明包括:像素区域(23),在该像素区域(23)中排列有多个由光电转换部(PD)和像素晶体管(Tr)构成的像素(24);片上滤色器(42);片上微透镜(43);多层布线层(33),多层布线(32)经由层间绝缘模(31)而形成在该多层布线层(33)中;遮光膜(39),该遮光膜(39)经由绝缘层(36)形成在受光面(34)的像素边界上,光电转换部(PD)排列在该受光面(34)上。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:像素区域,在所述像素区域中排列有多个由光电转换部和像素晶体管构成的像素;片上滤色器;片上微透镜;多层布线层,多层布线经由层间绝缘膜而形成在所述多层布线层中;以及遮光膜,所述遮光膜经由绝缘层形成在受光面的像素边界上,所述光电转换部排列在所述受光面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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