[发明专利]用于互连工艺的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，包括：前端器件层；在前端器件层上形成的通孔停止层；在通孔停止层上形成的第一低k值介电层；在第一低k值介电层上形成的超低k值介电层；在超低k值介电层上形成的第二低k值介电层，其中第二低k值介电层和超低k值介电层对于等离子体刻蚀具有不同的蚀刻速率；在第二低k值介电层形成的钝化层；透过钝化层、第二低k值介电层、超低k值介电层和第一低k值介电层蚀刻至通孔停止层的通孔；以及透过钝化层、第二低k值介电层蚀刻至超低k值介电层的沟槽。本发明还提供了相应的的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件能产生均匀的薄层电阻Rs，并使得介电层保持为低k值，具有改进的电学特性。

主权项

一种用于互连工艺中的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的通孔停止层；在所述通孔停止层上形成的第一低k值介电层；在所述第一低k值介电层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的第二低k值介电层，其中所述第二低k值介电层和所述超低k值介电层对于等离子体刻蚀具有不同的蚀刻速率；在所述第二低k值介电层形成的钝化层；透过所述钝化层、所述第二低k值介电层、超低k值介电层和第一低k值介电层蚀刻至所述通孔停止层的通孔；以及透过所述钝化层、所述第二低k值介电层蚀刻至所述超低k值介电层的沟槽。